Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35MFV,L3F MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SSM3J35MFV,L3F

MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM

Hissə nömrəsi

SSM3J35MFV,L3F

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

π-MOSVI

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SOT-723

Təchizatçı Cihaz Paketi

VESM

Gücün Dağılması (Maks.)

150mW (Ta)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

100mA (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

8 Ohm @ 50mA, 4V

Vgs(th) (Maks) @ İd

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

12.2pF @ 3V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.2V, 4V

Vgs (Maks.)

±10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 47606 PCS

Əlaqə məlumatı