Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K123TU,LF MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SSM3K123TU,LF

MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM

Hissə nömrəsi

SSM3K123TU,LF

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

U-MOSIII

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

3-SMD, Flat Leads

Təchizatçı Cihaz Paketi

UFM

Gücün Dağılması (Maks.)

500mW (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

4.2A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

28 mOhm @ 3A, 4V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

13.6nC @ 4V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1010pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.5V, 4V

Vgs (Maks.)

±10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 38883 PCS

Əlaqə məlumatı