Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K318R,LF MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SSM3K318R,LF

MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM

Hissə nömrəsi

SSM3K318R,LF

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

U-MOSIV

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SOT-23-3 Flat Leads

Təchizatçı Cihaz Paketi

SOT-23F

Gücün Dağılması (Maks.)

1W (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

2.5A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

107 mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

7nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

235pF @ 30V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 43281 PCS

Əlaqə məlumatı