Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J216FE,LF MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SSM6J216FE,LF

MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6

Hissə nömrəsi

SSM6J216FE,LF

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

U-MOSVI

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SOT-563, SOT-666

Təchizatçı Cihaz Paketi

ES6

Gücün Dağılması (Maks.)

700mW (Ta)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

12V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

4.8A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

32 mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

12.7nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1040pF @ 12V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.5V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±8V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 52904 PCS

Əlaqə məlumatı