Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J414TU,LF MOSFET P CH 20V 6A UF6

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SSM6J414TU,LF

MOSFET P CH 20V 6A UF6

Hissə nömrəsi

SSM6J414TU,LF

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

U-MOSVI

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

6-SMD, Flat Leads

Təchizatçı Cihaz Paketi

UF6

Gücün Dağılması (Maks.)

1W (Ta)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

6A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

22.5 mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

23.1nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1650pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.5V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±8V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 5880 PCS

Əlaqə məlumatı