Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J501NU,LF MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SSM6J501NU,LF

MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B

Hissə nömrəsi

SSM6J501NU,LF

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

U-MOSVI

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

6-WDFN Exposed Pad

Təchizatçı Cihaz Paketi

6-UDFNB (2x2)

Gücün Dağılması (Maks.)

1W (Ta)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

10A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

15.3 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

29.9nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2600pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.5V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±8V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 20190 PCS

Əlaqə məlumatı