Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J512NU,LF MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SSM6J512NU,LF

MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B

Hissə nömrəsi

SSM6J512NU,LF

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

U-MOSVII

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

6-WDFN Exposed Pad

Təchizatçı Cihaz Paketi

6-UDFNB (2x2)

Gücün Dağılması (Maks.)

1.25W (Ta)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

12V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

10A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

16.2 mOhm @ 4A, 8V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

19.5nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1400pF @ 6V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.8V, 8V

Vgs (Maks.)

±10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 8603 PCS

Əlaqə məlumatı