Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K202FE,LF MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SSM6K202FE,LF

MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6

Hissə nömrəsi

SSM6K202FE,LF

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SOT-563, SOT-666

Təchizatçı Cihaz Paketi

ES6 (1.6x1.6)

Gücün Dağılması (Maks.)

500mW (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

2.3A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

85 mOhm @ 1.5A, 4V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

270pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.8V, 4V

Vgs (Maks.)

±12V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 21103 PCS

Əlaqə məlumatı