Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K781G,LF MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SSM6K781G,LF

MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C

Hissə nömrəsi

SSM6K781G,LF

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

U-MOSVII-H

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

6-UFBGA, WLCSP

Təchizatçı Cihaz Paketi

6-WCSPC (1.5x1.0)

Gücün Dağılması (Maks.)

1.6W (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

12V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

7A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

18 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

5.4nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

600pF @ 6V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.5V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±8V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 15568 PCS

Əlaqə məlumatı