Toshiba Semiconductor and Storage TK7P65W,RQ MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

TK7P65W,RQ

MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK

Hissə nömrəsi

TK7P65W,RQ

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

DTMOSIV

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Təchizatçı Cihaz Paketi

DPAK

Gücün Dağılması (Maks.)

60W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

650V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

6.8A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

800 mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

15nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

490pF @ 300V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 18227 PCS

Əlaqə məlumatı