Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R712MD,L1Q MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

TPH1R712MD,L1Q

MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV

Hissə nömrəsi

TPH1R712MD,L1Q

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

U-MOSVI

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerVDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-SOP Advance (5x5)

Gücün Dağılması (Maks.)

78W (Tc)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

1.7 mOhm @ 30A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

182nC @ 5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

10900pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

2.5V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±12V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 17892 PCS

Əlaqə məlumatı