Transphorm TPH3208LSG MOSFET N-CH 650V 20A 3PQFN

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

TPH3208LSG

MOSFET N-CH 650V 20A 3PQFN

Hissə nömrəsi

TPH3208LSG

İstehsalçı/Brend

Transphorm

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

GaNFET (Gallium Nitride)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

3-PowerDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

3-PQFN (8x8)

Gücün Dağılması (Maks.)

96W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

650V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

20A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 14A, 8V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.6V @ 300µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

42nC @ 8V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

760pF @ 400V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

Vgs (Maks.)

±18V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 24185 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

TPH3202LD

MOSFET N-CH 600V 9A PQFN