Vishay Semiconductor Diodes Division RS3J-E3/9AT DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

RS3J-E3/9AT

DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hissə nömrəsi

RS3J-E3/9AT

İstehsalçı/Brend

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

DO-214AB, SMC

Təchizatçı Cihaz Paketi

DO-214AB (SMC)

Diod növü

Standard

Cari - Orta Düzəliş (Io)

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

1.3V @ 2.5A

Cari - Əks Sızma @ Vr

10µA @ 600V

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

600V

Sürət

Fast Recovery = 200mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

250ns

İşləmə temperaturu - Qovşaq

-55°C ~ 150°C

Kapasitans @ Vr, F

34pF @ 4V, 1MHz

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 22178 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

RS3J M6G

DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB