Vishay Siliconix IRLI640GPBF MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IRLI640GPBF

MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP

Hissə nömrəsi

IRLI640GPBF

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-220-3

Gücün Dağılması (Maks.)

40W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

200V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

9.9A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 5.9A, 5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

66nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1800pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4V, 5V

Vgs (Maks.)

±10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 23245 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

IRLI2203N

MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP