Vishay Siliconix IRLR120 MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IRLR120

MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

Hissə nömrəsi

IRLR120

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Təchizatçı Cihaz Paketi

D-Pak

Gücün Dağılması (Maks.)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

7.7A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

270 mOhm @ 4.6A, 5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

12nC @ 5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

490pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4V, 5V

Vgs (Maks.)

±10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 8288 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

IRLR014

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

Vishay Siliconix

IRLR014

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

Vishay Siliconix

IRLR014NPBF

MOSFET N-CH 55V 10A DPAK