Vishay Siliconix SI1026X-T1-E3 MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SI1026X-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F

Hissə nömrəsi

SI1026X-T1-E3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Digi-Reel®

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SOT-563, SOT-666

Güc - Maks

250mW

Təchizatçı Cihaz Paketi

SC-89-6

FET növü

2 N-Channel (Dual)

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

305mA

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

30pF @ 25V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 54929 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN