Vishay Siliconix SI1035X-T1-E3 MOSFET N/P-CH 20V SOT563F

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SI1035X-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V SOT563F

Hissə nömrəsi

SI1035X-T1-E3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SOT-563, SOT-666

Güc - Maks

250mW

Təchizatçı Cihaz Paketi

SC-89-6

FET növü

N and P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

180mA, 145mA

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

5 Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

400mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 9548 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN