Vishay Siliconix SI1039X-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SI1039X-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89

Hissə nömrəsi

SI1039X-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SOT-563, SOT-666

Təchizatçı Cihaz Paketi

SC-89-6

Gücün Dağılması (Maks.)

170mW (Ta)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

12V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

870mA (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

165 mOhm @ 870mA, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

450mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±8V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 32571 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN