Vishay Siliconix SI1056X-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V SC-89-6

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SI1056X-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V SC-89-6

Hissə nömrəsi

SI1056X-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SOT-563, SOT-666

Təchizatçı Cihaz Paketi

SC-89-6

Gücün Dağılması (Maks.)

236mW (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

89 mOhm @ 1.32A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

8.7nC @ 5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

400pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±8V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 29095 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN