Vishay Siliconix SI1414DH-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SI1414DH-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363

Hissə nömrəsi

SI1414DH-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Təchizatçı Cihaz Paketi

SOT-363

Gücün Dağılması (Maks.)

1.56W (Ta), 2.8W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

4A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

46 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

15nC @ 8V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

560pF @ 15V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±8V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 39250 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SI1400DL-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6