Vishay Siliconix SI1926DL-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SI1926DL-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363

Hissə nömrəsi

SI1926DL-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Güc - Maks

510mW

Təchizatçı Cihaz Paketi

SC-70-6 (SOT-363)

FET növü

2 N-Channel (Dual)

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

370mA

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 340mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

1.4nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

18.5pF @ 30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 52686 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SI1900DL-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6