Vishay Siliconix SI2304DDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SI2304DDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23

Hissə nömrəsi

SI2304DDS-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

SOT-23-3 (TO-236)

Gücün Dağılması (Maks.)

1.1W (Ta), 1.7W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

3.3A (Ta), 3.6A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

6.7nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

235pF @ 15V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 19515 PCS

Əlaqə məlumatı