Vishay Siliconix SI3410DV-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SI3410DV-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP

Hissə nömrəsi

SI3410DV-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Təchizatçı Cihaz Paketi

6-TSOP

Gücün Dağılması (Maks.)

2W (Ta), 4.1W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

8A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

19.5 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

33nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1295pF @ 15V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 43960 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SI3400-BZ-GM

IC POWER OVER ETHERNET 20QFN