Vishay Siliconix SI3441BDV-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SI3441BDV-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP

Hissə nömrəsi

SI3441BDV-T1-E3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Təchizatçı Cihaz Paketi

6-TSOP

Gücün Dağılması (Maks.)

860mW (Ta)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

2.45A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

850mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

2.5V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±8V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 35113 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SI3400-BZ-GM

IC POWER OVER ETHERNET 20QFN