Vishay Siliconix SI3585CDV-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SI3585CDV-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP

Hissə nömrəsi

SI3585CDV-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Güc - Maks

1.4W, 1.3W

Təchizatçı Cihaz Paketi

6-TSOP

FET növü

N and P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

3.9A, 2.1A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

58 mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

4.8nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

150pF @ 10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 24985 PCS

Əlaqə məlumatı