Vishay Siliconix SI3586DV-T1-E3 MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SI3586DV-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP

Hissə nömrəsi

SI3586DV-T1-E3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Güc - Maks

830mW

Təchizatçı Cihaz Paketi

6-TSOP

FET növü

N and P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

2.9A, 2.1A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 41409 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SI3500-A-GM

IC REG BUCK ADJ 0.4A 20QFN

Silicon Labs

SI3500-A-GM

IC REG BUCK ADJ 0.4A 20QFN

Silicon Labs

SI3500-A-GMR

IC REG BUCK ADJ 0.4A 20QFN

Silicon Labs

SI3529DV-T1-E3

MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP