Vishay Siliconix SI4447DY-T1-E3 MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SI4447DY-T1-E3

MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Hissə nömrəsi

SI4447DY-T1-E3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-SO

Gücün Dağılması (Maks.)

1.1W (Ta)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

40V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

3.3A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

72 mOhm @ 4.5A, 15V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

805pF @ 20V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

15V, 10V

Vgs (Maks.)

±16V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 41041 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SI4401BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC