Vishay Siliconix SI4532ADY-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SI4532ADY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Hissə nömrəsi

SI4532ADY-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Digi-Reel®

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Güc - Maks

1.13W, 1.2W

Təchizatçı Cihaz Paketi

FET növü

N and P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

3.7A, 3A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

53 mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

16nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 43024 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SI4500BDY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC