Vishay Siliconix SI4943CDY-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SI4943CDY-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC

Hissə nömrəsi

SI4943CDY-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

İşləmə temperaturu

-50°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Güc - Maks

3.1W

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-SO

FET növü

2 P-Channel (Dual)

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

19.2 mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

62nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1945pF @ 10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 39874 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SI4900DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC