Vishay Siliconix SI5858DU-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SI5858DU-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Hissə nömrəsi

SI5858DU-T1-E3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

LITTLE FOOT®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

PowerPAK® ChipFET™ Dual

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerPAK® ChipFet Dual

Gücün Dağılması (Maks.)

2.3W (Ta), 8.3W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Schottky Diode (Isolated)

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

39 mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

16nC @ 8V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

520pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±8V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 24068 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SI5853CDC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8