Vishay Siliconix SI5980DU-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SI5980DU-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET

Hissə nömrəsi

SI5980DU-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Digi-Reel®

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

PowerPAK® ChipFET™ Dual

Güc - Maks

7.8W

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerPAK® ChipFet Dual

FET növü

2 N-Channel (Dual)

FET Xüsusiyyəti

Standard

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

2.5A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

567 mOhm @ 400mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

3.3nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

78pF @ 50V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 18252 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SI5902BDC-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8