Vishay Siliconix SI5997DU-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SI5997DU-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET

Hissə nömrəsi

SI5997DU-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Last Time Buy

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

PowerPAK® ChipFET™ Dual

Güc - Maks

10.4W

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerPAK® ChipFet Dual

FET növü

2 P-Channel (Dual)

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

54 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

14.5nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

430pF @ 15V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 14224 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SI5902BDC-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8