Vishay Siliconix SI7434DP-T1-E3 MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SI7434DP-T1-E3

MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

Hissə nömrəsi

SI7434DP-T1-E3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

PowerPAK® SO-8

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerPAK® SO-8

Gücün Dağılması (Maks.)

1.9W (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

250V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

2.3A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

155 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

50nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

6V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 6520 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SI7402DN-T1-E3

MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8