Vishay Siliconix SI8425DB-T1-E1 MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SI8425DB-T1-E1

MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

Hissə nömrəsi

SI8425DB-T1-E1

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

4-UFBGA, WLCSP

Təchizatçı Cihaz Paketi

4-WLCSP (1.6x1.6)

Gücün Dağılması (Maks.)

1.1W (Ta), 2.7W (Tc)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

110nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2800pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 9109 PCS

Əlaqə məlumatı