Vishay Siliconix SI8816EDB-T2-E1 MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SI8816EDB-T2-E1

MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT

Hissə nömrəsi

SI8816EDB-T2-E1

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

4-XFBGA

Təchizatçı Cihaz Paketi

4-Microfoot

Gücün Dağılması (Maks.)

500mW (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

109 mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

8nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

195pF @ 15V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

2.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±12V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 19812 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SI8800EDB-T2-E1

MOSFET N-CH 20V MICROFOOT