Vishay Siliconix SI8902AEDB-T2-E1 N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SI8902AEDB-T2-E1

N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET

Hissə nömrəsi

SI8902AEDB-T2-E1

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

6-UFBGA

Güc - Maks

5.7W

Təchizatçı Cihaz Paketi

6-Micro Foot™ (1.5x1)

FET növü

2 N-Channel (Dual)

FET Xüsusiyyəti

Standard

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

24V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

11A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

28 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 41671 PCS

Əlaqə məlumatı