Vishay Siliconix SI9933CDY-T1-E3 MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SI9933CDY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

Hissə nömrəsi

SI9933CDY-T1-E3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

İşləmə temperaturu

-50°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Güc - Maks

3.1W

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-SO

FET növü

2 P-Channel (Dual)

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

58 mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

26nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

665pF @ 10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 8716 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SI9910DJ-E3

IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8DIP