Vishay Siliconix SIA414DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SIA414DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6

Hissə nömrəsi

SIA414DJ-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

PowerPAK® SC-70-6

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerPAK® SC-70-6 Single

Gücün Dağılması (Maks.)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 9.7A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

32nC @ 5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1800pF @ 4V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.2V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±5V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 26009 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A SC-70