Vishay Siliconix SIA421DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SIA421DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6

Hissə nömrəsi

SIA421DJ-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

PowerPAK® SC-70-6

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerPAK® SC-70-6 Single

Gücün Dağılması (Maks.)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

29nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

950pF @ 15V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 23729 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A SC-70