Vishay Siliconix SIA950DJ-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SIA950DJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6

Hissə nömrəsi

SIA950DJ-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

LITTLE FOOT®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Güc - Maks

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerPAK® SC-70-6 Dual

FET növü

2 N-Channel (Dual)

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

190V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

950mA

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

4.5nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

90pF @ 100V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 27312 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SIA906EDJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6