Vishay Siliconix SIB412DK-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SIB412DK-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Hissə nömrəsi

SIB412DK-T1-E3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

PowerPAK® SC-75-6L

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerPAK® SC-75-6L Single

Gücün Dağılması (Maks.)

2.4W (Ta), 13W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

9A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

34 mOhm @ 6.6A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

10.16nC @ 5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

535pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±8V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 45921 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SIB404DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L