Vishay Siliconix SIB419DK-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SIB419DK-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6

Hissə nömrəsi

SIB419DK-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

PowerPAK® SC-75-6L

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerPAK® SC-75-6L Single

Gücün Dağılması (Maks.)

2.45W (Ta), 13.1W (Tc)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

12V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

9A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

11.82nC @ 5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

562pF @ 6V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±8V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 24347 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SIB404DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L