Vishay Siliconix SIDR668DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SIDR668DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V

Hissə nömrəsi

SIDR668DP-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET® Gen IV

Hissə Vəziyyəti

Active

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

PowerPAK® SO-8

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerPAK® SO-8DC

Gücün Dağılması (Maks.)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

FET növü

N-Channel

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

23.2A (Ta), 95A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

4.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

108nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

5400pF @ 50V

Vgs (Maks.)

±20V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

7.5V, 10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 15462 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC