Vishay Siliconix SIR618DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 200V 14.2A SO-8

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SIR618DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 14.2A SO-8

Hissə nömrəsi

SIR618DP-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

ThunderFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

PowerPAK® SO-8

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerPAK® SO-8

Gücün Dağılması (Maks.)

48W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

200V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

14.2A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

95 mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

16nC @ 7.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

740pF @ 100V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

7.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 30354 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8