Vishay Siliconix SIS412DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SIS412DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK

Hissə nömrəsi

SIS412DN-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

PowerPAK® 1212-8

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerPAK® 1212-8

Gücün Dağılması (Maks.)

3.2W (Ta), 15.6W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

24 mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

12nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

435pF @ 15V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 34667 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SIS402DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8