Vishay Siliconix SISS10DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SISS10DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Hissə nömrəsi

SISS10DN-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerVDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Gücün Dağılması (Maks.)

57W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

40V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

2.65 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

75nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

3750pF @ 20V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

+20V, -16V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 14495 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-