Vishay Siliconix SISS30DN-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK 1212

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SISS30DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK 1212

Hissə nömrəsi

SISS30DN-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET® Gen IV

Hissə Vəziyyəti

Active

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

PowerPAK® 1212-8S

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerPAK® 1212-8S

Gücün Dağılması (Maks.)

4.8W (Ta), 57W (Tc)

FET növü

N-Channel

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

80V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

40nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1666pF @ 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

7.5V, 10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 27037 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-