Vishay Siliconix SQ2310ES-T1_GE3 MOSFET N-CH 20V 6A SOT23

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SQ2310ES-T1_GE3

MOSFET N-CH 20V 6A SOT23

Hissə nömrəsi

SQ2310ES-T1_GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-236

Gücün Dağılması (Maks.)

2W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

485pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.5V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±8V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 39149 PCS

Əlaqə məlumatı