Vishay Siliconix SQ4949EY-T1_GE3 MOSFET 2 P-CH 30V 7.5A 8SOIC

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SQ4949EY-T1_GE3

MOSFET 2 P-CH 30V 7.5A 8SOIC

Hissə nömrəsi

SQ4949EY-T1_GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Güc - Maks

3.3W

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-SOIC

FET növü

2 P-Channel (Dual)

FET Xüsusiyyəti

Standard

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

7.5A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

30nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1020pF @ 25V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 19270 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SQ4917EY-T1_GE3

MOSFET 2 P-CHANNEL 60V 8A 8SO