Vishay Siliconix SQJQ900E-T1_GE3 MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SQJQ900E-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Hissə nömrəsi

SQJQ900E-T1_GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

PowerPAK® 8 x 8 Dual

Güc - Maks

75W

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerPAK® 8 x 8 Dual

FET növü

2 N-Channel (Dual)

FET Xüsusiyyəti

Standard

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

40V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

3.9 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

120nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

5900pF @ 20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 50388 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SQJQ100E-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8